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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络梭边鱼是不是鲶鱼 梭边鱼跟鲶鱼一样吗安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公梭边鱼是不是鲶鱼 梭边鱼跟鲶鱼一样吗司中，江波龙、佰维(wéi)存梭边鱼是不是鲶鱼 梭边鱼跟鲶鱼一样吗储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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