大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披(pī)诞辰是指活人还是死人，诞辰和生日的区别color: #ff0000; line-height: 24px;'>诞辰是指活人还是死人，诞辰和生日的区别露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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