大(dà)家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查风味发酵乳是不是酸奶>

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)风味发酵乳是不是酸奶律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。风味发酵乳是不是酸奶>

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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