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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络湘d是湖南哪里的车牌，湘d是湖南哪里的车牌号(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份湘d是湖南哪里的车牌，湘d是湖南哪里的车牌号额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著湘d是湖南哪里的车牌，湘d是湖南哪里的车牌号下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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