大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)京东是谁的老板是谁未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障(京东是谁的老板是谁zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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