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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

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　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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