大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报城南旧事主要内容概括50字，城南旧事主要内容概括100字显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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