大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重池鱼思故渊的上一句是什么，羁鸟恋旧林池鱼思故渊(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

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　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

池鱼思故渊的上一句是什么，羁鸟恋旧林池鱼思故渊　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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