大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3叮铃铃和叮呤呤，《叮铃铃》维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàn叮铃铃和叮呤呤，《叮铃铃》g)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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