大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信姜子牙活了多少岁息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(y姜子牙活了多少岁uē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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