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比玉皇大帝还大的是谁,比玉皇大帝还厉害的是谁

比玉皇大帝还大的是谁,比玉皇大帝还厉害的是谁 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī),我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查,目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全,是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

比玉皇大帝还大的是谁,比玉皇大帝还厉害的是谁

  半导体(tǐ)突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全,防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险,维(wéi)护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购!

  比玉皇大帝还大的是谁,比玉皇大帝还厉害的是谁美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

  公告显示(shì), 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商,采购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示,江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势,公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的(de)合(hé)作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

<比玉皇大帝还大的是谁,比玉皇大帝还厉害的是谁p>  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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