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安徒生童话的作者叫什么名字,安徒生童话的作者简介

安徒生童话的作者叫什么名字,安徒生童话的作者简介 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规,我国(guó)内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá),目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设安徒生童话的作者叫什么名字,安徒生童话的作者简介施安全,是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng),只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称(chēng),为保障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全(quán),防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险,维护国(guó)家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》,网络安(ān)全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)安徒生童话的作者叫什么名字,安徒生童话的作者简介络安(ān)全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng),至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分(fēn)析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披(pī)露,薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75%。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单,设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗)等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

 

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