大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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