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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关1ma等于多少a，1ua等于多少a键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市1ma等于多少a，1ua等于多少a公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在1ma等于多少a，1ua等于多少a存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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