大家好，来看一(yī)则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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