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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guān嘴巴含胸的感觉知乎g)公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì嘴巴含胸的感觉知乎)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(hu嘴巴含胸的感觉知乎ò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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