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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风一句话气死嫉妒你的人，嫉妒心太重的人一般是怎样的人险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查一句话气死嫉妒你的人，嫉妒心太重的人一般是怎样的人办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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