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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qi电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗án)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(s电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗hēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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